sentaurus仿真SiC SBD终端结构FLRs

晓春记忆 · 发表于 2021-1-24 17:15:11

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仿真时设置FLRs之间环间距对器件击穿特性的影响时，发现当环间距设置的很小1μm时，仿真收敛，但当增加环间距到3、5um时，器件在初始求解空穴方程时，出现错误，有没有人遇到过相近的问题，有没有什么推荐的方法，一般认为解决收敛性问题可以调整关键位置网格分布，但是试了之后发现没有作用，还是求解空穴方程出错，错误如下：

191148 · 发表于 2021-2-1 17:33:41

mesh, always mesh issue

晓春记忆 · 发表于 2021-2-2 13:38:21

191148 发表于 2021-2-1 17:33
mesh, always mesh issue

已经在关键部分加密了网格，但是不起作用，您还有什么优化网格的思路吗？

wdnmd · 发表于 2022-7-18 10:53:52

你好，请问是如何发现求解空穴方程导致的不收敛呢

sentaurus仿真SiC SBD终端结构FLRs

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