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[求助] 瞬态强磁场对集成电路的影响

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发表于 2020-10-9 22:31:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近有看到一些强电磁脉冲的论文,文章中对强电磁脉冲对MOSFET器件的影响通常集中在噪声、位翻转、闩锁效应上。但是有一个问题,这些文章在进行MOSFET器件内具体机理的分析时,通常是笼统地称之为“电磁场”对MOSFET器件的影响,并没有分别介绍“电场”和“磁场”对MOSFET的影响。我在这里想请问一下大家,强电磁脉冲中,瞬态的脉冲电场脉冲磁场分别对MOSFET有什么样的影响?
先谢谢大家啦!
 楼主| 发表于 2020-10-9 22:34:04 | 显示全部楼层
MOSFET的源端、漏端、栅极哪个对强脉冲磁场更敏感?
 楼主| 发表于 2020-10-9 22:35:25 | 显示全部楼层
强脉冲磁场是不是对互连线也有影响呀?根据麦克斯韦方程组的话,应该会产生感应电动势吧?
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