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Sentaurus 极化模型仿真问题

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发表于 5 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教一下,最近在仿真GaN/InN异质结器件时遇到了两个问题:
1.在sde建立结构时,p型掺杂采用了镁Magnesium杂质,n型掺杂选择了nSilicon杂质。但是在跑器件仿真时(sdevice),p型掺杂没有加上,只有型掺杂;
2.在采用P型杂质pSilicon后,掺杂正常了,然后在sdevice中的物理模型中加入了压电极化模型,Piezoelectric_polarization (strAIn),跑完后用svisual看tdr文件在GaN/InN界面并没有出现极化电荷。

大家又遇到类似的问题或者知道原因和解决方法吗。多谢多谢
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