STI和OD2

刘宇512 · 发表于 2020-9-8 11:33:44

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才学习版图，想问问大家一个问题，一般来说STI和场氧都是隔离管子的有源区，防止寄生的沟道；比如说工艺用了STI之后，还会生长场氧吗？如果还会生长场氧，那么作用是什么，如果不用长场氧，那么高压管子和低压管子怎么在版图上面区分。

刘宇512 · 发表于 2020-9-9 11:23:16

顶一下

forevertoyou · 发表于 2020-9-9 16:54:27

会生长场氧，只是不再STI的地方生长，STI侧壁会被氧化，凹槽是被填满沉淀的多晶硅

forevertoyou · 发表于 2020-9-9 16:55:29

这有详细一点的

刘宇512 · 发表于 2020-9-10 10:12:52

forevertoyou 发表于 2020-9-9 16:54
会生长场氧，只是不再STI的地方生长，STI侧壁会被氧化，凹槽是被填满沉淀的多晶硅
...

谢谢，我还想问的是，本来场氧就是隔离的作用，现在被STI代替了，这时长出来的场氧的作用是什么呀，保护衬底表面吗，防止玷污？

forevertoyou · 发表于 2020-9-10 10:45:47

刘宇512 发表于 2020-9-10 10:12
谢谢，我还想问的是，本来场氧就是隔离的作用，现在被STI代替了，这时长出来的场氧的作用是什么呀，保护 ...

平坦化吧！这个就不知道了

刘宇512 · 发表于 2020-9-10 11:11:45

forevertoyou 发表于 2020-9-10 10:45
平坦化吧！这个就不知道了

好的，谢谢啦

meomeo1 · 发表于 2020-12-2 01:29:13

谢谢啦

胡子歌 · 发表于 2020-12-3 10:11:55

会生长场氧，在隔离区腐蚀出一定深度的沟槽，再进行侧墙氧化，用CVD法在沟槽中淀积SiO2当绝缘层，最后通过CMP法平坦化，形成沟槽隔离区和有源区。高压管子不太清楚，好像要在顶层加个高压层次吧。

lndxeb · 发表于 2023-11-28 14:34:06

sti后悔氧化一次，保护衬底缓冲应力

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