ESD PMOS SEM image, EOS or ESD?

chu8xv03

请教大神，
在这个PMOS的SEM image里，可以看到crack, rupture, contact disformation.
问题：
1). EOS 还是ESD damage? 哪个可能性大一些？
2). 从细节图上看，（1~5）的位置分别是哪些层？（Polly, Spacer, Silicide, diffusion 在这个图上怎么区分）
3). 从这个图上还可以看到哪些特殊设计及制程？

laughing125

这是GGNMOS把，漏加宽了，坏点在漏端cont孔附近，像是ESD损伤

chu8xv03

谢谢。。。这个是PMOS. 左边的图看到好多的点有这种rupture. ESD能量有这么厉害吗？

laughing125

chu8xv03 发表于 2020-9-7 11:48
谢谢。。。这个是PMOS. 左边的图看到好多的点有这种rupture. ESD能量有这么厉害吗？ ...

打TLP的时候见过这样的损伤，TLP能量应该跟HBM模式的ESD脉冲能量差不多。