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[其它] UFS 2.1有什么特性?UFS会影响手机的哪方面呢?

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发表于 2020-8-26 15:01:01 | 显示全部楼层 |阅读模式

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5G时代的到来,手机的硬件配置是基本的,当然也可以依旧使用5/6年前的存储,当然没问题。但再往后呢?势必将会更新换代,旧的会被淘汰掉,不是UFS2.1影响了5G手机,反而是5G手机带动了UFS2.1的发展。作为中低端5G手机的闪存,UFS 2.1成为了热门选择之一。UFS 2.1有什么特性?UFS对手机会造成什么样的影响呢?

UFS,其全称为“Universal Flash Storage”即“通用闪存存储”,它通过高速串行接口替代传统的并行接口,并改用了全双工方式,同时进行收、发数据,速度上肯定比单双工,半双工快,高效。

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图片来源:IT之家

宏旺半导体之前跟大家说过,目前市面上大多数旗舰手机采用的是UFS闪存,即通用闪存存储,之前宏旺半导体提过,UFS可以视为eMMC的进阶版,是由多个闪存芯片、主控、缓存组成的阵列式存储模块。UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行(读写必须分开执行)的缺陷,可以实现全双工运行,所以性能得以翻番。

2013年9月,JEDEC发布了UFS2.0的闪存存储标准,其最大的特点是采用串行数据传输,全双工模式,支持指令队列。相比EMMC读取写入分开进行的半双工模式,UFS的全双工模式意味着读取和写入可以同时进行。指令队列的加入意味着无需再向EMMC5.1之前的版本一样,每一条指令的提交必须等待前一条指令的完成。

UFS2.0闪存读写速度强制标准为HS-G2(HighspeedGEAR2),可选标准为HS-G3。HS-G21Lane最高读写速度为2.9Gbps(约为360MB/s),2Lane最高读写速度为5.8Gbps(约为725MB/s)。可选标准HS-G31Lane最高读写速度为5.8Gbps(约为725MB/s),2Lane最高读写速度为11.6Gbps(约为1.45GB/s)。HS-G21Lane由于读写速度与EMMC5.1相比没有明显的优势,相应的商业产品较为罕见。

后来,JEDEC发布了UFS2.1的闪存存储标准。相比UFS2.0,速度标准没有任何变化,仍然为强制标准HS-G2,可选标准HS-G3。改进主要分为三部分:设备健康(包括预防性维护)、性能优化(包括指令优先和固件升级)和安全保护。设备健康信息包括剩余预留块和设备使用寿命信息,指令优先允许向紧急的任务分配更高的优先级,安全保护则支持操作系统和应用级别细粒度的写入保护(包括UFS控制器硬件级别加密)。

虽然目前因为5G的发展,UFS3.0大有成为5G旗舰手机闪存的标配,但是,5G旗舰手机要全部替代现有的手机还仍需要很长的时间,所以目前双通道的UFS2.x凑依然是不错的选择,宏旺半导体ICMAX作为专业的存储品牌,推出的UFS采用串行数据传输技术,以及全双工运行模式,同一条通道允许读写传输,而且读写能够同时进行,而带宽已达1.5GB/s以上,传输效率有效提高,是现在很多手机闪存的选择。

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宏旺半导体建议大家,如果中意某款手机的话,建议看一下官网的参数和配置情况,以防止被新闻上的营销和套路诱惑。看完以后如果依旧十分满意,可以去线下实体店亲自体验一番,毕竟很多东西是参数不能展现的。


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