手机芯片已经进入7nm时代，为何pc芯片大多还在10nm、14nm上？

ICMAX宏旺半导体

在描述芯片性能的时候，大家常听到的就是22nm、14nm、10nm这些数值，现在手机芯片工艺越来越先进，7nm的芯片已大量投入使用，而有小伙伴会疑惑，为何电脑的芯片还很少用到7nm呢？

宏旺半导体之前说过，纳米，是指一种长度单位，1纳米就是10亿分之一米，也叫毫微米。纳米制程，习惯上，专指电子芯片中晶体管，极与极间距，电极本身宽度，从几十纳米到几纳米的长度距离，比如十纳米制程，那么晶体管本身电极最小处就是10纳米。

一般而言，芯片的纳米制程就是指晶体管栅极的线宽度，也就是晶体管源极和漏极所连接的半导体材料的距离。理论上，栅极的线宽越小越省电，电压也可以越低。

目前大部分手机芯片已经进入7nm时代，而电脑芯片却大多还在10nm、14nm上，这是为什么？首先是成本问题，手机芯片相对电脑芯片小很多，所以在同样尺寸的晶圆下可以制造出更多的芯片，加上庞大的手机需求量，新工艺的成本分摊相对更便宜一些，而电脑芯片面积大得多，如果使用最新的工艺生产难免会提高不少成本，随着PC市场的成熟，芯片需求量也比手机少太多，所以这几年电脑cpu的工艺一直在14nm，但是也开始有7nm工艺陆续推出。

其次是关注的重点不一样。对于手机来说，性能和续航是非常重要的。手机现在已经融入到了我们的生活的方方面面，不论是玩游戏、看电视、拍视频等，都追求更高的性能。在功耗和散热方面，由于手机体积小的缘故,功耗和散热都是研发设计的痛点,再加上目前主流设计上都在往轻薄的方向走。而PC相对来说，电源配置都大于实际功率,散热更不用提了,大霜塔,水冷都能很好的达到散热效果，因而远没有移动端对芯片制程工艺要求的严苛。

如今5G时代的来临，手机等设备对存储芯片的要求也越来越高，UFS3.0和LPDDR5甚至被称为5G手机的标配。我们购买手机时常说的8+128 或者8+256，前者8G内存是受LPDDR5 的影响，后者128G/256G存储是受UFS 3.0的影响，虽然LPDDR5被称为5G时代黑科技满满的手机存储，也有人说它和LPDDR4X 差不多，两者的感知差异并不强。目前市场上主流的手机内存是LPDDR4/4X，LPDDR5是最新标准但普及还需要一定的时间。

宏旺半导体的LPDDR4X 卓越的高能效解决方案，电压低至0.6V，在性能方面比 LPDDR4 更进一步，功耗大约降低了10-20%，有效地延长了电池寿命。 采用小型封装，8GB的内存能满足大多数超薄移动设备的容量空间要求，并具备高性能的多任务处理功能。同时，支持PoP堆叠封装和独立封装，从智能手机、平板电脑，到车载电子、可穿戴设备等，LPDDR4X正在拓宽智能、移动设备的应用领域。

ZTZ-99

主要原因还是pc的领头羊一直是intel，占了市场大头的intel的10nm技术难产，不得已一直在用14nm。而amd跟华为一样没有自己的制造链，也由台积电代工，7nm一出来就用上了7nm

DavidBang

AMD Yes!

andy2000a

Intel 10nm 其實應該比 tsmc  samsung  7nm  　好些

   只是當年 Intel 卡關 10nm 太久 .

GOOGLE

英特爾罕見表態：你們的7nm CPU水分太大了
晶体管密度超过100MTr/mm²的Intel 10nm处理器


而在我们所熟知的Intel 14nm制程下，每平方毫米的晶体管密度也达到37.5MTr/mm²，即每平方毫米包含超过3750万个晶体管。
  在经历“+++”的千锤百炼之后，当前Intel的14nm魔改版制造工艺已能容纳43.5MTr/mm²的晶体管密度。

三星  10nm制程，结果可想而知，晶体管密度仅有51.8MTr/mm²，仅比先进的14nm++多了20%，
比Intel的10nm差了近一半

三星的7nm工艺总算是将MTr/mm²推上101.23，然而这也仅仅和Intel的10nm打成平手罢了。


TSMC 台积电为AMD等行业巨头打造的7nm产能，在早期7nm HPC阶段仅有60.3MTr/mm²的晶体管密度，
在经历改良后（第3代锐龙处理器及Navi GPU阶段）才达到了96.5MTr/mm²的水平。
换句话说，AMD现有的7nm制造工艺，确实没有几年前Intel 10nm工艺的晶体管密度高。




GOOLE  


電子顯微鏡下的Intel 14nm與台積電7nm：差別其實沒那麼誇張

這些年在製程工藝上，Intel老是被詬病慢半拍，其實評價也不客觀，畢竟Intel對製程節點的命名更嚴lao肅shi，所以才有Intel的10nm相當於甚至更優於台積電/三星7nm的說法。想要從微觀上鑑別製程差異，加拿大Up主Der8auer找來電子顯微鏡探究了一番，此次選取的對像是Intel 14nm+++工藝的酷睿i9-10900K和台積電7nm的AMD 銳龍9 3950X處理器。此次選取的對像是Intel 14nm+++工藝的酷睿i9-10900K和台積電7nm的AMD 銳龍9 3950X處理器。

簡單來說，Intel 14nm芯片晶體管的柵極寬度為24nm，而AMD芯片的柵極寬度為22 nm，柵高也相當相似。
雖然乍一看兩者並沒有太大不同，但仔細一瞧，台積電的節點仍然比英特爾的密度要大得多，畢竟名義上領先一代