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[求助] 请问soi工艺用到的管子和cmos工艺的管子有什么区别吗?

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发表于 2020-6-21 12:56:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 liu494516166 于 2020-6-21 18:35 编辑

项目准备用soi工艺做driver IC。请问soi工艺用到的管子和cmos工艺的管子有什么区别吗?
请问有什么注意事项或者是soi工艺相关的参考资料嘛

发表于 2020-6-22 09:29:45 | 显示全部楼层
个人理解:
1、SOI是介质隔离,所以可以做出一些特殊器件和特殊应用场景,比如bulk可以电位不同。
2、普通CMOS工艺是PN结隔离,所以必须保证隔离的PN结处于反偏状态,而且整个P-sub都是一体的。
3、对衬底噪声敏感的设计可以考虑SOI,可以做到衬底完全隔离。
4、普通器件SOI和CMOS区别不大,SOI的隔离区需要多一层mask。
5、通常状态下,SIO工艺的面积要多少大一点,和隔离的设计相关。
别的想不到什么了。
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