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[求助] 怎么2.5V的MOS设计支持3.3V 电压的数字IO?

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发表于 2020-6-18 23:07:26 | 显示全部楼层 |阅读模式
10资产
     PDK文档上面说明2.5V的MOS管 Vds击穿电压小于3.2V,直接用3.3V的电压可能短期问题不大,但长期可靠性可能会出问题,有没大神知道一下该怎么做?

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有人在论坛里分享过,我搬运过来的
发表于 2020-6-18 23:07:27 | 显示全部楼层
有人在论坛里分享过,我搬运过来的

Ker_SLChen_CSTsai_TCAS1_Sep_2006.pdf

1.37 MB, 下载次数: 259 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2020-6-19 08:40:26 | 显示全部楼层
可以把2.5V管子的长度加大一些,有些2.5V over drive到3.3V的,只要加大管子长度,耐压就可以跟3.3V的管子一样。
发表于 2020-6-19 08:41:37 | 显示全部楼层
可以把2.5V管子的长度加大一些,有些2.5V over drive到3.3V的,只要加大管子长度,耐压就可以跟3.3V的管子一样。
发表于 2020-6-20 12:35:49 | 显示全部楼层
stack structure
发表于 2020-6-21 12:39:37 | 显示全部楼层
你说的应该是pure 2.5V 的IO管子,现在大多数工艺,2.5V管子,是同时支持25OD33,和25UD18的,如果有这种,可以直接当3,3V的用。

如果没有,就采用CASCODE MOS的方式来实现
发表于 2020-6-22 14:57:52 | 显示全部楼层
一般25od33的管子要求L至少0.5um。
发表于 2020-7-6 19:13:11 | 显示全部楼层
请关注“一片冰芯”微信公众号。
发表于 2020-7-15 16:58:44 | 显示全部楼层
我靠不会把,这种叠加这么简单的方法都可以发论文。。。
发表于 2020-7-15 18:49:08 | 显示全部楼层
level shifter就行了啊
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