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查看: 2381|回复: 9

[原创] 请教一种第一次见的ESD结构

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发表于 2020-5-29 22:28:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 mekenny 于 2020-5-29 22:29 编辑

请问各位大哥,有见过下图所示的ESD结构吗?跟泄放NMOS管串联的阱电阻是做什么用的啊?串联了电阻不是导致泄放阻抗变大吗?
image.png
image.png
发表于 2020-5-30 09:56:19 | 显示全部楼层
Ballasting resistance?
发表于 2020-5-30 15:51:38 | 显示全部楼层
是为了保证所有叉指管子均匀开启
 楼主| 发表于 2020-5-31 22:39:34 | 显示全部楼层


jake_don 发表于 2020-5-30 15:51
是为了保证所有叉指管子均匀开启


均匀开启应该是电阻接在GGNMOS的GATE与地之间吧?
发表于 2020-6-3 23:30:33 | 显示全部楼层


mekenny 发表于 2020-5-31 22:39
均匀开启应该是电阻接在GGNMOS的GATE与地之间吧?


可以联想drain端加的SAB层,增加了电阻,保持各finger电流的一致性
 楼主| 发表于 2020-6-5 09:56:42 | 显示全部楼层


bing_bing 发表于 2020-6-3 23:30
可以联想drain端加的SAB层,增加了电阻,保持各finger电流的一致性


SAB是均匀开启的有效做法,这个解析是对的。

 楼主| 发表于 2020-6-5 09:59:37 | 显示全部楼层
感觉应该是保证ESD泄放管finger均匀导通的,跟漏端加SAB是一样的效果。
发表于 2020-6-29 17:02:25 | 显示全部楼层
要是每根finger都有个电阻的话,应该可以往均匀性方面考虑。
发表于 2020-7-22 11:55:09 | 显示全部楼层
VERY GOOD
发表于 2020-8-8 17:06:23 | 显示全部楼层
如果nmos管为主放电通路,那接nwell电阻太大了吧,可以使用nplus电阻。
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