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[全新] TPN8R903NL和MG15G1AL3和TC358763XBG 分立晶体管

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发表于 2020-4-28 17:09:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

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TPN8R903NL和MG15G1AL3和TC358763XBG 分立晶体管:

规格:
FET 类型        N 通道
技术        MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)        30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)        20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)        4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)        8.9 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)        2.3V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)        9.8nC @ 4.5V
Vgs(最大值)        ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)        820pF @ 15V
功率耗散(最大值)        700mW(Ta),22W(Tc)
工作温度        150°C(TJ)
安装类型        表面贴装型
供应商器件封装        8-TSON Advance(3.3x3.3)
封装/外壳        8-PowerVDFN


应用:
开关稳压器
DC-DC转换器


特征:
高速切换
小栅极电荷
低漏源导通电阻
低漏电流
增强模式


星际金华供应 TPN8R903NL和MG15G1AL3和TC358763XBG 分立晶体管 原装现货,更多详情,欢迎咨询!
发表于 2020-9-15 13:32:02 | 显示全部楼层
vdss是指on 还是 off呢?
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