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查看: 3371|回复: 9

[求助] ESD结构和特性请教

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发表于 2020-4-8 13:29:37 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位大神:有一个问题一直困扰很久,就我所知道的ESD结构中,一般大致分为GGNMOS,反偏二极管和SCR结构,请问这三种ESD结构的优缺点是否有人能总结一下?
目前遇到一个难题,如果对ESD结构的漏电流要求很严格(需要极小pA级),请问该如何选择?
发表于 2020-4-13 12:09:31 | 显示全部楼层
GGNMOS 更容易turn on,但是面积较大,适用于LV器件;中高压一般用diode。
 楼主| 发表于 2020-4-14 11:22:44 | 显示全部楼层


江湖人92 发表于 2020-4-13 12:09
GGNMOS 更容易turn on,但是面积较大,适用于LV器件;中高压一般用diode。


嗯嗯,thank you!
发表于 2020-5-16 10:51:18 | 显示全部楼层
漏电流与器件面积、工作电压等条件相关,一般来说,SCR漏电相对较小,但是设计复杂,需要工艺匹配。
发表于 2020-5-20 10:33:57 | 显示全部楼层


江湖人92 发表于 2020-4-13 12:09
GGNMOS 更容易turn on,但是面积较大,适用于LV器件;中高压一般用diode。


请问下GGNMOS和反偏二极管有什么区别吗?感觉GGNMOS就是MOS管连接成反偏二极管的?
发表于 2020-5-22 10:22:19 | 显示全部楼层


wmd201409 发表于 2020-5-20 10:33
请问下GGNMOS和反偏二极管有什么区别吗?感觉GGNMOS就是MOS管连接成反偏二极管的?
...


不一样
二极管是通过PN结泄电:ESD脉冲到来时PN结反向击穿。
GGNMOS 是通过寄生BJT进行泄电,当ESD脉冲到来时,Drain/PW结击穿,当Isub*Rwell > 0.7V(PN结导通电压)时,PW/Source结正向导通,进入snapback区域,NPN开启泄电。GGNMOS 可以通过PESD IMP调节Drain/PW结击穿电压的值,一般相同电压域的Diode和GGNMOS,GGNMOS更容易turn on,泄电更快,但是面积更大。

发表于 2020-7-3 10:35:57 | 显示全部楼层
要漏电小,最优方法就是选择SCR结构。不过跟工艺相关性太大,一般很难得到设计参数。
发表于 2020-7-8 12:17:02 | 显示全部楼层
还有一点SCR结构。Snapback 很深,容易造成闩锁
发表于 2023-4-23 11:27:11 | 显示全部楼层


江湖人92 发表于 2020-5-22 10:22
不一样
二极管是通过PN结泄电:ESD脉冲到来时PN结反向击穿。
GGNMOS 是通过寄生BJT进行泄电,当ESD脉冲到 ...


那diode结构是不是一次性的?发生ESD事件直接把diode击穿了
发表于 2023-4-25 10:50:56 | 显示全部楼层


Anihacyo 发表于 2023-4-23 11:27
那diode结构是不是一次性的?发生ESD事件直接把diode击穿了


diode反偏的电流能力太弱太弱,钳压还行,泄流需要面积很大很大。
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