宏旺半导体一文解答DDR内存时序高好还是低好?

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由于内存条种类繁多，参数多样，很多小白DIY电脑的，会发现购买内存条是件头疼的事。大家对内存容量以及内存频率关注较多，而对内存时序却关注的很少，其实内存时序也是内存的参数之一，内存时序究竟有多重要呢？

内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，如16-18-18-36。宏旺半导体了解到，第四个参数经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。

CL对内存性能的影响是最明显的，所以很多产品都会把内存CL值标在产品名上，而后面的三个数字都是最小周期数。CL的英文全称是CAS Latency，意思就是CAS的延迟时间，从中文意思中可以看出来这个数字越小延迟也就越小，一般DDR4的CL值在14-16就是一个不错的数值了，不少低延迟高超频能力的内存条还会将CL值压缩到11，这样的内存条延迟会更低，从而获得同频率下更好的性能。

内存时序参数影响随机存储存储器速度的延迟时间，较低的数字通常意味着更快的性能，所以在同代同频率的情况下，内存时序越小越好，一般情况下大家只需要看内存时序中的第一个数字，也就是CL值，数字越小越好。

宏旺半导体举个例子，内存的时序就是我们这个仓库的物流人员找到货物，并把货物装上车的时间，一般来说，货车的载重越大（内存条的频率越高），物流人员找到这些货物和装车所耗费的时间也就越长，所以如果是相同频率的内存条，时序CL值是越小越好（表示物流人员工作效率高）。目前普通的DDR4内存，主流频率为2400MHz，时序是CL15-17数值左右。

那么，了解了内存时序的参数以后，究竟该如何去选择内存条呢？其实在选择内存的时候，内存时序并不是放在第一位去考虑的。而是先看容量，再看频率，最后再去对比内存时序。

如果内存容量，频率都相同的情况下，时序自然是越低越好。不过内存时序对于内存性能的影响非常小，除了跑分软件会体现出一点差异，在正常使用电脑的时候你根本感觉不出来的，与其在内存时序上纠结，还不如选个靠谱的品牌更为稳妥。