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[求助] 版图中mos的DNW撑住边框,很难选中deivce

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发表于 2020-4-2 09:00:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

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某S40 process,pdk的nmos带dnw,而且是很大很大的一块dnw。cdf中没有选项可以去掉dnw。
结果就是layout时想选中某个mos必须去找到他的dnw框,而很多mos放在一起时,想要选中某个mos真是太难了。

发表于 2020-4-2 10:56:31 来自手机 | 显示全部楼层
dnw是什么?

点评

deep nwell  发表于 2020-4-2 12:14
发表于 2020-4-3 16:44:43 | 显示全部楼层
Ctrl+y试试
发表于 2020-5-13 09:40:12 | 显示全部楼层
首先呢 你说的带dnw  证明你调用的就是dnw类型的管子,pdk当然去不掉 ,  其次dnw很大因为dnw的最小规则就是3*3 ,  
发表于 2020-5-13 17:28:43 | 显示全部楼层
那就用普通的管子,最后再整体盖dnw好了
 楼主| 发表于 2020-5-14 08:42:26 | 显示全部楼层
virtuoso有一项功能是选择BBOX选中,点选了这个选项之后,mos的可选大小会变成这个mos的instances layer的大小。
不选这项的话,会变成mos的最大外框大小。而TSMC的工艺中,mos上面的instances layer和OD一样大。所以TSMC的在点选了这个选项之后,mos框会变得和OD一样大。
SMIC的不行,他的instances layer是和最外框一样大的。BBOX选不选都是最大框。这是SMIC的pdk做的不好。除非自己改一下pdk。
发表于 2020-5-14 18:11:36 | 显示全部楼层
发表于 2020-5-21 11:05:04 | 显示全部楼层
e 勾选use Ture BBox
发表于 2021-4-15 16:31:55 | 显示全部楼层
学习了,谢谢!
发表于 2023-5-30 16:59:14 | 显示全部楼层


我试了,好像不行
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