深N阱工艺求助

RFcircuits · 发表于 2019-12-12 18:18:54

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如图，如果深N阱的B端接高电平，那么B到S的二极管不就导通了吗？

yanpflove · 发表于 2019-12-12 18:28:29

本帖最后由 yanpflove 于 2019-12-12 18:41 编辑

是的，所以正常使用时，你不应该给这个NMOS的B接高电平。
（说的不准确，应该是这个B可以接高于衬底的电位，但是要低于DNW和S/D的电位）

maige0106 · 发表于 2019-12-12 18:32:56

这个问题没看懂

tuohong · 发表于 2019-12-13 08:55:19

是啊，所以就像二楼所说，你要保证B到S/D不能正偏，那也要保证B到DNWELL不能出现正偏，所以如果你电路上给你的MOS器件如果有DNW这个端口的话，一般来讲他要接到最高电位，VDD或者power什么的。
有时候普通的psub/nwell工艺，如果有dnw做隔离，又想把dnw接到比较干净的地，那一定要小心考虑周边情况，不要出现导通。