限幅后置放大器SY88933VKG和IPB038N12N3G沟道晶体管

xingjijinhua

星际金华现货提供 限幅后置放大器SY88933VKG和IPB038N12N3G沟道晶体管：

一，SY88933VKG：
1，规格：
类型        限幅后置放大器
应用        光纤学网络
安装类型        表面贴装型
封装/外壳        10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商器件封装        10-MSOP


2，特征：
3.3V或5V单电源
DC至1.25Gbps操作
低噪声PECL数据输出
内置6.75k-上拉电阻的无抖动OC-TTL信号设置（SD）输出
TTL EN输入
可编程SD级别集（SDLVL）
采用纤巧的10引脚MSOP（3mm）封装



3，应用：
1.25Gbps以太网
1.55Mbps和622Mbps SONET / SDH
高增益线路驱动器和线路接收器
531Mbps和1062Mbps光纤通道
千兆接口转换器


二，IPB038N12N3G：
1，规格：
FET 类型        N 通道
技术        MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）        120V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）        120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）        10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）        3.8 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）        4V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）        211nC @ 10V
Vgs（最大值）        ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）        13800pF @ 60V
FET 功能        -
功率耗散（最大值）        300W（Tc）
工作温度        -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型        表面贴装型
供应商器件封装        D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳        TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB


2，特征：
N通道，正常水平
极好的栅极电荷x R DS（on）产品（FOM）
导通电阻R DS（on）非常低
175°C工作温度
无铅镀铅； 符合RoHS，无卤素
通过JEDEC1）认证，可用于目标应用
高频开关和同步整流的理想选择


更多详细产品参数，请咨询星际金华公司工作人员！