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Memory开发工程师
工作地点：深圳市, 成都市, 南京市, 西安市
工作职责
1、对Finfet工艺的memory架构和实现方法进行评估和优化
2、进行嵌入式Memory IP 开发，如SRAM/RF/TCM/ROM等
3、进行嵌入式Memory 阵列的全定制开发
4、仿真、验证并分析Memory的功能、性能
5、设计Memory的 verilog功能模型并进行验证
6、进行IP 特性化分析及模型到硬件的参数校准
任职资格
1、熟悉晶体管级电路设计，包括SRAM/TCAM/ROM等
2、精通先进半导体工艺制程和器件物理
3、熟悉定制设计流程和相关EDA工具应用,包括virtuoso/Calibre/Hspice/Spetre/Liberate
4、具备行为级模型仿真（Verilog等）、电路分析技能优先
5、具备FinFET制程经验优先
6、良好的沟通学习能力
7、微电子、电子工程、计算机或相关专业毕业，
本科4年/研究生2年以上相关工作经验
有意者请加微信：AaronBLC咨询
补充内容 (2020-4-8 10:03):
也可以base在上海 |
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发表于 2019-10-17 16:25:06
楼主