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查看: 3485|回复: 6

[求助] 仿真电流镜 饱和区vgs相同,vds不同 为什么vth会不同 电流也不同

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发表于 2019-10-9 15:52:55 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 xuwenwei 于 2019-10-9 17:13 编辑

已经确认工作在饱和区,vgs也一样,为什么vth会不同,模型里的Vth和Vds有关系吗?
那仿真的时候怎么验证书上的内容,电流镜左右MOS的电流都不相等。
然后我仿真单个mos管,发现饱和区内,Vds变化,Vth和电流都变化,如下图所示
微信图片_20191009171314.png

发表于 2019-10-9 16:21:42 | 显示全部楼层
你咋看到的vth不同。贴个图
 楼主| 发表于 2019-10-9 16:27:18 | 显示全部楼层
本帖最后由 xuwenwei 于 2019-10-9 16:38 编辑


fcm5658779 发表于 2019-10-9 16:21
你咋看到的vth不同。贴个图


直接 print出DC工作点 MOS特性里会有 vth这个值的,我刚又试了一下,vth一样了,不过还是电流不同,是不是这里面包括了 沟道调制机制在里面啊 所以电流不同 那么仿真电流镜的时候 这个电流肯定是不会相等的,需要去关注这个点吗
微信图片_20191009162436.png 微信图片_20191009162849.png 微信图片_20191009163002.png
 楼主| 发表于 2019-10-9 16:32:04 | 显示全部楼层
本帖最后由 xuwenwei 于 2019-10-9 16:37 编辑

是不是这里面包括了 沟道调制机制在里面啊 所以电流不同 那么仿真电流镜的时候 这个电流肯定是不会相等的,需要去关注这个点吗
发表于 2019-10-10 10:25:32 | 显示全部楼层
不是很理解你这做法。你这个电路不是电流镜啊,同栅同源才是电流镜呢。你要是测试电流镜的话应该搭建一个标准结构测试一下。你这个电路VGS虽然一致,但是VDS明显不一样啊,所以会有这个电流的差别。仿真模型只是基于最简单的平方率模型,但是并不等同于最简单的平方率模型。次级效应都是考虑在里面的,这里会有沟道长度调制效应的影响。
发表于 2019-10-10 10:49:53 | 显示全部楼层
这个效应叫漏感应势垒下降,漏极电压确实会影响一些阈值电压
要我说没有必要过分担心这个,电路设计人员又不是专门搞工艺器件的,不知道的非理想效应多了去了,难道非得把全部的非理想效应学会才能做电路设计吗?你这个电流镜还是按着一般的接法用就可以
要是你实在是想提高两边电流的匹配程度,那就加cascode,提高过驱动电压
发表于 2019-10-10 17:40:00 | 显示全部楼层
二级效应的影响
先看看你的MOS的L多大。一般电流镜,MOS的L会比较大,降低这个VDS的影响。
再者就是楼上说的,cascode MOS加上,这样基本可以满足你的设计要求了。
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