DNW中的NPN三极管

njaiqhbshxhx · 发表于 2019-9-18 13:42:27

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本帖最后由 njaiqhbshxhx 于 2019-9-18 14:18 编辑

为什么NPN三极管要作在DNW中？如果没有DNW只有Nwell有什么影响？

xuhao · 发表于 2019-9-18 14:00:27

p+就会直接软连接到地上了

njaiqhbshxhx · 发表于 2019-9-18 14:21:33

xuhao 发表于 2019-9-18 14:00
p+就会直接软连接到地上了

谢谢，觉得你说的挺有道理的

去如风 · 发表于 2019-9-18 14:29:36

你好
你这个图看起来好奇怪哦，为啥nwell比DNW框的大呢？？

yanpflove · 发表于 2019-9-18 15:03:33

本帖最后由 yanpflove 于 2019-9-18 15:06 编辑

你好，
NPN三极管有很多种形式，理解一个NPN器件结构，关键是把握它的发射区、基区和集电区分别是由什么组成的，找到它的两个N型区和一个P型区。
不同的发射区、基区和集电区，影响三极管的增益、耐压、漏电流等参数，工艺厂提供器件时都需要综合衡量，最终通过PDK的形式向你提供性能稳定的器件。
1，你的工艺不使用DNW，应该也是可以形成NPN三极管的，不使用DNW可能制造怎样的NPN，需要结合特定工艺来看；
2，重点在于理解PDK提供的这个三极管，据图推测，该三极管是由N+，Pwell和DNW组成的纵向三极管，剖面结构图如下：
无标题.png

3，一般工艺中，N阱和P阱的厚度相近，DNW的掺杂浓度比N阱小，比N阱距离表面更深，这也是deep Nwell的“deep”所表达的意思。在纵向NPN三极管中，N阱不能不出现在P阱下方的。
4，基区的P+会连接到SUB上，是通过P+/Pwell/Psub连接的，这个连接挺顺畅的，不算软连接。
5，Nwell和DNW在水平方向上的相对尺寸受到工艺参数的影响，有的是DNW包NW，有的是NW包DNW，这个不奇怪，他们的扩散距离不一样的。

6，这种纵向三极管的集电结是PW/DNW，由于DNW掺杂浓度低，耐压可以比较大，请查询该器件的电学特性，其BVcbo是比较大的。如果拿掉DNW，集电结就变了，耐压和增益等都会变的，这个器件就可能不能用了。
7，tips：遇到不太熟悉的器件，查找文档中的纵向结构图，或者自己画出来，会更容易搞清楚它的结构。
8，reference：教材里应该可以比较容易地查到三极管的器件结构。

njaiqhbshxhx · 发表于 2019-9-18 15:57:58

去如风发表于 2019-9-18 14:29
你好
你这个图看起来好奇怪哦，为啥nwell比DNW框的大呢？？

这个是工艺库直接调出来的，我也不知道为什么是这样的

去如风 · 发表于 2019-9-18 16:10:08

njaiqhbshxhx 发表于 2019-9-18 15:57
这个是工艺库直接调出来的，我也不知道为什么是这样的

可以方便说一下这是什么工艺吗

大力射门 · 发表于 2019-9-18 23:24:32

这个DNW就是三级管里的BN，作用同理

寻雨 · 发表于 2019-9-19 09:23:21

如果没有DNW,应该是做不出NPN，只有PNP

njaiqhbshxhx · 发表于 2019-9-19 10:29:26

yanpflove 发表于 2019-9-18 15:03
你好，
NPN三极管有很多种形式，理解一个NPN器件结构，关键是把握它的发射区、基区和集电区分别是由什 ...

非常感谢你给了我非常大的启发，根据你帮我画出的剖面图，我自己根据工艺画出的剖面图如下，跟你的有一些不同的地方，因为我这边用的是N阱工艺，没有用到双阱工艺，所以我自己根据你帮我画的我自己重新画了一个。我个人认为这个BJT的E，B，C应该是由n+,p+,n+(NW里面的n+)组成，最后三极又由DNW全部框住，整个器件是作在P_sub上面如果是从我画的这个剖面图来看，该怎么分析DNW在这个器件上的作用，如果没有DNW对这个器件又会造成什么样的影响呢？望不吝赐教

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