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楼主: maige0106

[求助] 金属到底能不能走沟道。。

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 楼主| 发表于 2019-9-18 15:57:34 | 显示全部楼层


yanpflove 发表于 2019-9-18 15:35
你好,
  有同学提到了寄生效应。我们面对寄生效应应该从定性和定量两个方面分析。
  先分两个角度,工艺和 ...


谢谢回答,我遇到过M1走栅DRC会报错。
另外问一个问题:考虑到金属走栅带来的负面影响,M1的影响最大,M2小一些,以此类推越往上影响越小,是这样的吗?

发表于 2019-9-18 16:26:42 | 显示全部楼层


maige0106 发表于 2019-9-18 15:57
谢谢回答,我遇到过M1走栅DRC会报错。
另外问一个问题:考虑到金属走栅带来的负面影响,M1的影响最大,M2 ...


你好,
  是的,越顶层的金属对poly-gate的影响越小。
  不同金属层对栅的影响,这个好理解,注意一下,金属层和多晶硅栅是通过电容耦合的,平行板电容器,一个极板是金属层,另一个极板是多晶硅栅,他们之间的距离越大,电容越小,噪声就越难影响。M1到gate-poly,metal之间的距离,这些都可以在工艺文档中查到,你可以看一看。
  我住在一楼,2楼的人说话的声音,我很容易听得到,但是3楼、4楼的声音我就很难听得到嘛。
 楼主| 发表于 2019-9-18 16:30:40 | 显示全部楼层


yanpflove 发表于 2019-9-18 16:26
你好,
  是的,越顶层的金属对poly-gate的影响越小。
  不同金属层对栅的影响,这个好理解,注意一下, ...


非常感谢!

发表于 2019-9-18 17:47:12 | 显示全部楼层
我的习惯的m2尽量不走,m3以上随意
发表于 2019-9-19 09:58:14 | 显示全部楼层
不是关键敏感电路随便走吧。
发表于 2019-9-19 13:41:33 | 显示全部楼层
模拟类 opa input mos .. sample/hold, A/D 电容  等上面不希望跨metalline ,  其实poly 上跨m1就怕 noise.  如果很低速电路 不怕noise, 有些会跨 m1让版图可变小些 .   RD 希望如何跑线 . 还有跨线是哪类signal ??
Clock signal  一般不希望跨 mos poly gate .  

 楼主| 发表于 2019-9-19 14:43:48 | 显示全部楼层


andy2000a 发表于 2019-9-19 13:41
模拟类 如 opa input mos .. 或 sample/hold, A/D 电容  等上面不希望跨metalline ,  其实poly 上跨m1就怕  ...


谢谢回答
发表于 2019-10-6 10:24:48 | 显示全部楼层
我个人觉得主要还是考虑寄生电容的问题,多晶硅栅上是单纯的电压并没有电流,这时候金属和多晶硅栅引起的寄生电容就会对电压引起影响。特别是差分对这种需要匹配的结构,其实对多晶硅电压的匹配。但是寄生电容的影响要去量化却是困难的过程。所以重要的管子就不要去尝试了,毕竟尝试成本比较高
发表于 2019-10-8 14:19:54 | 显示全部楼层
版图的东西是用来生产的,既然能可以最优,为啥要冒风险跨管子走线,我从来不在管子上走线的
发表于 2019-10-11 09:49:00 | 显示全部楼层
M3以上没什么问题 寄生电容很小 , 尽量走器件本身的线
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