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[求助] IO上的ESD问题

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发表于 2019-8-13 17:24:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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下面这张图是28nm 不同IO上的ESD电路,左边是PVSS IO上的ESD,就是利用在NW里的二极管在TAVDD和TAVSS间做ESD,但是右图是PVDD IO上的ESD电路,一共4个MOS管,不是很看得懂,求助这个原理是什么,为什么要用两种esd呢,谢谢了 IMG_3268.JPG
发表于 2019-8-13 18:37:36 | 显示全部楼层
右边是个power clamp,用于泄放VDD到VSS的正向电压
不过你这电路里面是不是少了个电阻?电阻接在VDD到NMOS电容(反相器输入)间
 楼主| 发表于 2019-8-13 19:30:25 | 显示全部楼层


victor0o0 发表于 2019-8-13 18:37
右边是个power clamp,用于泄放VDD到VSS的正向电压
不过你这电路里面是不是少了个电阻?电阻接在VDD到NMOS ...


是的,刚看了下,少了个电阻,谢谢了
发表于 2021-5-7 18:57:20 来自手机 | 显示全部楼层
TAVDD TAVSS是ESD的电源地吧
发表于 2021-7-26 14:29:48 | 显示全部楼层
谢谢分享
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