关于layout差分对栅极VP/VN 出线方向和源漏输入方向

zsy900815 · 发表于 2019-8-12 14:04:01

关于layout差分对栅极VP/VN 出线方向和源漏输入方向.有没有硬性要求,是否要分开分别从不同方向输入输出.
有人知道吗???这样说的原理是什么

yfanny1980 · 发表于 2019-8-12 14:04:02

因为MOS器件是“栅压控制下的器件”，栅电压的变化会控制沟道的开启状态，通常差分电路使MOS工作在线性区域，这时漏电流会比较敏感，为避免噪声串扰，一般不允许栅极信号和源漏信号太近或交叉

zsy900815 · 发表于 2019-8-13 08:58:40

yfanny1980 发表于 2019-8-12 15:44
因为MOS器件是“栅压控制下的器件”，栅电压的变化会控制沟道的开启状态，通常差分电路使MOS工作在线性区域 ...

谢谢

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