版图中电阻的保护环一般用地环还是电源环

邢运龙

版图中电阻的保护环一般用地环还是电源环

yanpflove

你好，
1，什么类型的电阻？多晶电阻、扩散电阻和阱电阻等不同类型电阻需要考虑的内容不一样。
2，保护电阻的什么？
3，地环和电源环的差异在什么地方？

邢运龙

是多晶硅电阻

邢运龙

yanpflove 发表于 2019-8-7 10:04
你好，
1，什么类型的电阻？多晶电阻、扩散电阻和阱电阻等不同类型电阻需要考虑的内容不一样。
2，保护电阻 ...

smic18库里的多晶硅电阻，以前一直用地环（衬底接触接地）围起来，看到有人用N环，我有点疑惑我是不是弄错了

victor0o0

邢运龙 发表于 2019-8-7 10:19
smic18库里的多晶硅电阻，以前一直用地环（衬底接触接地）围起来，看到有人用N环，我有点疑惑我是不是弄 ...

地环没问题的
一般没什么区别，无非寄生电阻是对VSS还是VDD，看具体电路有什么影响

yanpflove

邢运龙 发表于 2019-8-7 10:19
smic18库里的多晶硅电阻，以前一直用地环（衬底接触接地）围起来，看到有人用N环，我有点疑惑我是不是弄 ...

你好，
确实如楼上所说，一般没有太大区别，尤其是看到你的版图后，发现这电阻并不需要匹配，那么需要考虑的东西就更少了。
1，poly电阻一般既可以出现在P阱（或P-Sub）上，也可以出现在N阱上，在P阱（P-sub）上就用地环，在N阱上就用电源环，是为了增加阱接触，减小阱电阻，二端Poly电阻本身并不需要他们。
2，电路设计上，如果需要细致考虑电阻所受到的影响，那么就需要注意电阻所处的位置，因为电阻上有电位，与其下的阱之间有电位差，地或电源带来的不同电位会通过Poly和阱之间的寄生电容影响到电阻。这种情况在高压设计中更可能需要考虑。所以有的电阻在PDK中直接以三端器件甚至四端、五端的形式出现。


3，工艺规则上，需要注意不同类型的阱，对其上的poly电阻需要包围的尺寸可能不同，比如我当前在用的工艺中就要求poly电阻的电阻如果放在N阱上，那么N阱必须最小enclose poly 1.5um，但是P阱的规则中就没有写这一条。
4，匹配电阻的要求就是另一个问题了，看到你的版图中，这电阻很明显不需要匹配，就不赘述了。

even810223

yanpflove 发表于 2019-8-7 13:59
你好，
确实如楼上所说，一般没有太大区别，尤其是看到你的版图后，发现这电阻并不需要匹配，那么需要考 ...

这位大神的回复每次都是很细致，让人受益匪浅，膜拜！

note30933

thanks

拉普拉斯逆变换

受益了

zhaofaju

谢谢了