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[全新] K4T51163QJ-BCE7

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发表于 2019-6-19 10:40:09 | 显示全部楼层 |阅读模式

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K4T51163QJ-BCE7

      半导体存储器(K4T51163QJ-BCE7)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。按其功能可分为:随机存取存储器(简称RAM)和只读存储器(只读ROM)。体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。

*分类
1.按功能分类
按其功能可分为:随机存取存储器(简称RAM)和只读存储器(只读ROM)
1)RAM包括DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器),当关机或断电时,其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存(内存的主体部分),SRAM主要用于高速缓存存储器。
2)ROM 主要用于BIOS存储器。

2.按制作工艺分类
可分为:双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。

3.按存储原理分类
可分为:静态和动态两种。

*K4T51163QJ-BCE7主要特点
1.优点
体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。

2.缺点
和磁芯存储器不同的是,半导体存储器属于易失性存储器(Volatile Memory),在电源中断时会使数据消失,如RAM(Random Access Memory)。

*主要用途
主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。

*技术指标
主要有:
1. 存储容量:存储单元个数M×每单元位数N
2. 存取时间:从启动读(写)操作到操作完成的时间
3. 存取周期:两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间
4. 平均故障间隔时间MTBF(可靠性)
5. 功耗:动态功耗、静态功耗

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