在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1324|回复: 4

[讨论] 小尺寸mos容易被损坏的原因

[复制链接]
发表于 2019-6-14 17:29:19 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
  请教各位大牛!
   如题低节点工艺的小尺寸mos,比如l,w都取最小值,为什么容易被击穿!有大牛碰到过吗!求指教!
发表于 2019-6-14 19:03:50 | 显示全部楼层
V=Q/C
 楼主| 发表于 2019-6-15 14:37:43 | 显示全部楼层


   一堆被保护的管子子,只有最小的管子坏了,您您能说的具体一点吗,clamp在同样的电压下,小的坏了!
 楼主| 发表于 2019-6-15 14:43:38 | 显示全部楼层
特别强调一下,是w最小的管子,如果是删上那点寄生电容的不同,我觉得用V=q/c有点牵强,望大牛们指点
发表于 2019-6-17 11:33:48 | 显示全部楼层


hhlunar 发表于 2019-6-15 14:43
特别强调一下,是w最小的管子,如果是删上那点寄生电容的不同,我觉得用V=q/c有点牵强,望大牛们指点 ...


W太小的话相同电气环境下,ro会比较大,发热会比较严重。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-4-25 17:26 , Processed in 0.020615 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表