PAD电路，跑DRC时报一个很奇怪ESD的错

8i8i9o9o

TSMC 0.18UM  1P6M Mixed Signal 工艺

芯片的PAD做完了，DRC报一个ESD的错，指向的全是ESD PMOS管子的Source。 这些Source全部连到VDD上了。
rule里面写了 @ DRC will exclude D/S/G connected to PWSTRAP.
那为什么还报错呢？
不知道如何解决。望高人指点

ESD.1g { @ Use thin oxide transistor for thin oxide power clamp and thin oxide I/O buffers;
                 @ Use thick oxide transistor for the thick oxide Power Clamp and thick oxide I/O buffers.
                 @ DRC only flag ((MOS INTERACT OD2) INTERACT SDI) connected to (MOS NOT INTERACT OD2).
                 @ DRC will exclude D/S/G connected to PWSTRAP.
  NET AREA RATIO NSDk_HVMOS_SDI NSDk_LVMOS PSDk_LVMOS LV_GATEk PTAPk > 0
        [!!AREA(NSDk_HVMOS_SDI)*!AREA(PTAPk)*(!!AREA(NSDk_LVMOS)+!!AREA(PSDk_LVMOS)+!!AREA(LV_GATEk))]
        RDB ESD.1g.hv_n.rep NSDk_HVMOS_SDI NSDk_LVMOS PSDk_LVMOS LV_GATEk
  NET AREA RATIO PSDk_HVMOS_SDI NSDk_LVMOS PSDk_LVMOS LV_GATEk PTAPk > 0
        [!!AREA(PSDk_HVMOS_SDI)*!AREA(PTAPk)*(!!AREA(NSDk_LVMOS)+!!AREA(PSDk_LVMOS)+!!AREA(LV_GATEk))]
    RDB ESD.1g.hv_p.rep PSDk_HVMOS_SDI NSDk_LVMOS PSDk_LVMOS LV_GATEk
}

genehuang

PWSTRAP不是指power，是指pwell pickup。

寻雨

之所以会报这个DRC error是因为这个中压（OD2是识别层）的ESD（SDI是识别层）连接到低压（没有OD2）的MOS器件上了

8i8i9o9o

寻雨 发表于 2019-5-30 13:43
之所以会报这个DRC error是因为这个中压（OD2是识别层）的ESD（SDI是识别层）连接到低压（没有OD2）的MOS器 ...

谢谢！
请高手具体讲讲。
中压的ESD mos 怎样连到低压的mos上？
不明白啊

8i8i9o9o

genehuang 发表于 2019-5-30 13:24
PWSTRAP不是指power，是指pwell pickup。

谢谢！

寻雨

8i8i9o9o 发表于 2019-5-30 16:53
谢谢！
请高手具体讲讲。
中压的ESD mos 怎样连到低压的mos上？

你用的中压ESD mos(盖了OD2这一层)通过metal连接到低压器件（没有盖OD2的器件），之所以报这个是为了让你知道中压驱动低压是否会有风险，如果没有可以忽略。这个rule的检查主要是通过中低压器件之间的连接，并不是通过检查电位来判断。

8i8i9o9o

寻雨 发表于 2019-5-31 09:28
你用的中压ESD mos(盖了OD2这一层)通过metal连接到低压器件（没有盖OD2的器件），之所以报这个是为了让你 ...

是这样吗？
5V的INV驱动一个1.8V的INV
但是他们的电压是1.8V。
ESD报的错误是指这个吧？

寻雨

8i8i9o9o 发表于 2019-5-31 20:23
是这样吗？
5V的INV驱动一个1.8V的INV
但是他们的电压是1.8V。

红框内的5V的INV换成5V的ESD画法的Powerclamp，这个powerclamp连接了1.8V的器件电源地。你可以做试验，把1.8V的器件的电源地连线与这个powerclamp的连线断开，再跑DRC，应该就没有这个ESD error