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[全新] 供应IPL60R180P6和SIL9022ACNU

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发表于 2019-5-24 13:39:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

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全新原装正品,明佳达供应IPL60R180P6和SIL9022ACNU,有意者请与陈先生联系。
IPL60R180P6 分立半导体  N沟道场效应管规格:
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
22.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
180 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 750µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
44nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2080pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
176W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PG-VSON-4
封装/外壳
4-PowerTSFN



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