请教一下spare cell 和GDCAP的详细区别，优缺点

a898521

Spare cell  和 GDCAP 都可以做post ECO，有什么区别？

l690527

GDCAP 也可以 拿來組合成 其他 logic 電路嗎?
或是fix timing ?

ime

G*开头的cell又叫ECO Gate Arrary单元。。。
只要大小一样，base layer都是一样的。
所以GDCAP* change link 可以换成任意别的G*功能cell
ECO前是DCAP功能，ECO后可以改成function逻辑。。。

好处是Base Layer不动（Poly贵啊），只动M1？（忘记了，可以LVL比较一下）

所以一般情况下，我会在有空的地方就撒GDCAP，虽说电容比一般的DCAP小些，但是好歹可以ECO备用啊。
另外，加GDCAP/DCAP会比加只加FILLER多了些leakage，但是感觉leakage增加的整体比例不高

最后，据说M1改版的ECO费用也比较贵。。。
TSMC现在新的ECO库提供了G*MCO*后缀的cell了（带MCO哦）。
这些cell，出pin都出到了M2。
所以我现在先把G*MCO*当spare cell撒入并固定，最后再统一加GDCAP*

搬砖的，啥捣腾。。。
大家发现有啥更好的方法可以告诉我一起讨论讨论。。。

lightpisces

ime 发表于 2019-4-10 16:26
G*开头的cell又叫ECO Gate Arrary单元。。。
只要大小一样，base layer都是一样的。
所以GDCAP* change lin ...

请问MCO和ECO的差别是在哪里？

ime

lightpisces 发表于 2019-4-11 17:24
请问MCO和ECO的差别是在哪里？

带MCO的用到M2出PIN，不带MCO的是M1出PIN
其余我没看出差别来

wenfangsibao

ime 发表于 2019-4-10 16:26
G*开头的cell又叫ECO Gate Arrary单元。。。
只要大小一样，base layer都是一样的。
所以GDCAP* change lin ...

G 功能的 cell 指什么呢？

wenfangsibao

ime 发表于 2019-4-10 16:26
G*开头的cell又叫ECO Gate Arrary单元。。。
只要大小一样，base layer都是一样的。
所以GDCAP* change lin ...

帖子好，回答更好。先谢谢答主的不吝赐教。看到你的回答，我又想起来了一个新的问题，就是不同大小的 GDCAP cell 里面应该有不同数量的 MOS 管。那种最小的 GDCAP cell里面的 MOS 管应该也很少，只能用过 INV or BUF 了。所以：
1，像那种面积最小的 GDCAP cell 里面的 MOS 管版图应该和普通的 INV/BUF 应该基本是一样的？
2，面积大的 GDCAP cell 里面的 MOS 管应该很多，所以可以组合成多种多样的 logic cell。所以就有了对应的各种 G-logic cell

抬头望见天8

ime 发表于 2019-4-10 16:26
G*开头的cell又叫ECO Gate Arrary单元。。。
只要大小一样，base layer都是一样的。
所以GDCAP* change lin ...

楼主好，看完你的描述对spare cell有了大概了解。有一个疑问就是你最后说已经加了MCO，为什么还要加GDCAP*

mcleizi

ime 发表于 2019-4-10 16:26
G*开头的cell又叫ECO Gate Arrary单元。。。
只要大小一样，base layer都是一样的。
所以GDCAP* change lin ...

层主回答很正确，但是有个问题想请教一下，就是有一种SPAREAND2（physical only 类似filler属性，和层主说的MCO有点类似）和标准的stdcell的fram view基本一致，唯一区别是输入PIN全部连VSS了，而且出到了metal4。但是我在按照gate array ECO的流程去实现的时候发现在用AND2 map的时候，place_freeze_silicon的时候工具直接把SPAREAND2换成了AND2，导致metal1到metal4全改了，想请教一下我想保留它出PIN到metal4的这些连线，需要怎么做？