BSC100N06LS3G和IPP60R120C7分立半导体

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BSC100N06LS3G  规格：

类型	分立半导体产品[size=7.5000pt]         晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商	Infineon Technologies
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	12A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	10 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 23µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	45nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3500pF @ 30V
FET 功能	[size=7.5000pt]-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），50W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	PG-TDSON-8-5
封装/外壳	8-PowerTDFN

IPP60R120C7 直插场效应管规格

类型	分立半导体产品[size=7.5000pt]        晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商	Infineon Technologies
包装	管件
零件状态	在售
FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	120 毫欧 @ 7.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 390µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	34nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1500pF @ 400V
功率耗散（最大值）	92W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO220-3
封装/外壳	TO-220-3

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