ESD power clamp 設計

mark1th11 · 发表于 2019-2-23 17:07:34

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本帖最后由 mark1th11 于 2019-2-24 20:06 编辑

想問一下下面2者power clamp各別的優缺點(2個的差別)，在設計和layout實現上需要特別注意什麼
感謝

powerclamp

qinyuwenzhu · 发表于 2019-2-26 16:22:16

A图的面积会很大的，一般都采取第二种结构

mark1th11 · 发表于 2019-2-28 23:08:53

回覆 2# qinyuwenzhu

請問為什麼設計起來面積會比較大呢?
感謝

andyjackcao · 发表于 2019-3-15 22:09:53

想問一下下面2者power clamp各別的優缺點(2個的差別)，在設計和layout實現上需要特別注意什麼
感謝
mark1th11 发表于 2019/2/23 17:07

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采用PMOS作为ESD器件或者采用NMOS器件作为ESD均是可以的；

这两个电路，需要结合具体的工艺来讨论会好；

通常来讲
PMOS器件不具备deep-snapback，因此采用PMOS来作为ESD器件，可以更加的均匀放电；
NMOS器件具备deep-snpback，因此采用NMOS器件作为ESD器件，需要避免NMOS器件的竞争触发问题；

考虑到PMOS的放电电阻比NMOS要大得多，通常PMOS会采用更大的面积；