FINFET做D/S的时候用SiC/SiGe比Si好在哪里？

bella427 · 发表于 2018-11-9 15:59:22

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andyfan · 发表于 2018-11-9 20:00:28

alfredstone · 发表于 2018-12-27 22:14:29

对沟道施加应力，提高载流子迁移率

woainio · 发表于 2019-1-7 15:24:37

楼上正解

hehe1111 · 发表于 2019-5-5 20:47:27

SiC提高沟道中电子迁移率、SiGe提高沟道中空穴迁移率

zfgu · 发表于 2019-5-10 16:43:02

楼上正解D

JHX_SMICS · 发表于 2019-8-9 14:27:34

C原子半径小，取代Si提供拉应力，有利于提升 NMOS 电子载流子的迁移率；
Ge原子半径小，取代Si提供压应力，有利于提升 PMOS 空穴载流子的迁移率。

补充内容 (2019-9-9 14:22):
Ge原子半径大，笔误。

wokaoman · 发表于 2019-8-22 15:21:25

JHX_SMICS 发表于 2019-8-9 14:27
C原子半径小，取代Si提供拉应力，有利于提升 NMOS 电子载流子的迁移率；
Ge原子半径小，取代Si提供压应力， ...

SiC还要做P离子注入吗？SiGe都还要B离子注入吗？

xuetianci · 发表于 2019-9-15 20:54:18

楼上正解，SiC for NMOS,SiGe for PMOS。

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