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超低功耗免电池物联网方案合集(下载送好礼!)
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发表于 2018-11-8 14:09:46 | 显示全部楼层 |阅读模式

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小白求解求解怎么改错。
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发表于 2018-11-9 08:57:03 | 显示全部楼层
1,不同栅耐压Vgs的器件会有不同厚度的栅氧化层,更厚的栅氧才能支持更高的栅电压,不同厚度的栅氧化层需要不同的mask。
2,对应到您的工艺中,该规则中的HV应该就是这个 厚栅氧化层MASK对应的标识层。
3,HV layer有对应的规则,请去查阅设计规则文档,其中的一个规则应该是(栅氧化层“OD & PO” 不能cut HV layer,意思是一个完整的栅氧化层要么全不覆盖HV layer,要么全都覆盖HV layer)。
4,修改方式,把需要HV的器件,用HV完整包起来;或者把不需要HV的器件,与HV分开。
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发表于 2018-11-12 09:18:50 | 显示全部楼层
OD和POLY都必须在HVOX内或者外,也就是全部覆盖或者全部暴露在外面(相切属于touch也不行)
其实我不知道你的HVOX是什么,单从逻辑运算的结果来看是这样的
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