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[求助] 对于GaN工艺下器件仿真中遇到问题-Sentaurus-TCAD

[求助] 对于GaN工艺下器件仿真中遇到问题-Sentaurus-TCAD

(sdedr:define-constant-profile "CP.xMole" "xMoleFraction" x)
(sdedr:define-constant-profile-region "CP.xMole" "CP.xMole" "AlGaN"  0 "Replace")
上面常熟掺杂中用到函数是摩尔分数,定义数值是x,替换区域是AlGaN勢垒层,我想问的问题1.此中x指的是那一部分具体那个元素的数值,是Al吗?2.SDE定义中的摩尔分数与后面Sdevice中变量文件中定义的摩尔分数有联系吗?
上面的问题本人看了SDE,唯一找到几个相关字却和我问题不太相关,所以请大神不吝赐教!

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