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[求助] GaN器件使用Sentaurus-TCAD仿真出现问题

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发表于 2018-10-17 18:56:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
(sdedr:define-constant-profile "CP.xMole" "xMoleFraction"   x)
(sdedr:define-constant-profile-region "CP.xMole" "CP.xMole" "AlGaN"  0 "Replace")
以上语句是在SDE里面编辑的,但是不懂摩尔分数常熟掺杂中x指AlGaN中那一部分值,并且这一部分定义与后面sdevice中的摩尔分数变量定义有没有关系???
以及查过手册,SDE里面没有介绍摩尔分数详细用法
请不吝指教!
发表于 2018-10-22 10:52:16 | 显示全部楼层
我觉得应该是这样,AlxGa(1-x)N,跟软件无关,半导体器件物理一般都这样定义吧,TCAD应该也遵循
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