在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
芯片精品文章合集(500篇!)    创芯人才网--重磅上线啦!
查看: 18595|回复: 35

尺寸相同,与非门和或非哪个速度快?(虹微笔试题)

[复制链接]
发表于 2007-10-14 21:42:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
如题,请问衡量速度的方法是不是输出从0变1和从1变0时的快慢来衡量呢?
望高手指点指点!!!!!
发表于 2007-10-14 22:09:39 | 显示全部楼层
与非门快,从充电时间的大小可以解释原因。
发表于 2007-10-14 22:28:15 | 显示全部楼层
麻烦楼上的再详细解释下,我觉得这问题挺有意思的
发表于 2007-10-15 11:06:18 | 显示全部楼层
与非门输出电容串联 < 或非门输出电容并联
发表于 2007-10-15 15:02:08 | 显示全部楼层
但是与非和或非,充电和放电的电阻不一样,上升和下降应该分别来考虑吧
发表于 2007-10-15 16:05:01 | 显示全部楼层
与非门比较快,利用RC模型计算转换时间,求平均!
 楼主| 发表于 2007-10-16 09:40:16 | 显示全部楼层
请问大家,不知道我这样理解可不可以:
     因为pmos比nmos的迁移率小,标准的与非门和或非门中的nmos和pmos宽长比不一样,因此pmos比nmos的寄生电容大,因此pmos充电时间长,比较最长路径的延时,或非门是两个pmos串联,与非门是两个nmos串联,因此与非门的速度更快。
发表于 2007-10-16 12:32:43 | 显示全部楼层
楼上解释的比较详细,主要就是因为电子迁移率不同而引起输出电容不同造成的。
发表于 2007-10-18 16:01:25 | 显示全部楼层
这个似乎要对集成电路原理很了解,哎,都忘差不多了
发表于 2007-10-31 10:38:50 | 显示全部楼层
:lol
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /3 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-4-23 16:55 , Processed in 0.027113 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表