请教一个低电流基准设计问题,非常感谢!

w98211012 · 发表于 2007-11-15 20:51:37

想问一下，你的功耗小到什么程度？

USTM · 发表于 2007-11-16 10:47:28

原帖由 w98211012 于 2007-11-15 20:51 发表
想问一下，你的功耗小到什么程度？

nA级别,整个芯片的supply current要在1 uA以下.

scutlan · 发表于 2007-11-16 16:58:09

原帖由 USTM 于 2007-11-16 10:47 发表

nA级别,整个芯片的supply current要在1 uA以下.

怎么感觉不可能呢。。。。

一个bandgap总功耗小于1uA都不太现实吧？

USTM · 发表于 2007-11-16 19:34:44

原帖由 scutlan 于 2007-11-16 16:58 发表

怎么感觉不可能呢。。。。

一个bandgap总功耗小于1uA都不太现实吧？

电压检测电路大部分都是uA级别的功耗电流,ONSEMI比较BT,他们就达到了0.5uA的supply current.

其实这个还不算,nA级别的震荡器那才头疼,不知道他们怎么搞出来的!!!

stocol · 发表于 2008-1-11 22:57:49

本人用亚阈值mos基准流过smic0.18，可靠性很差
怀疑亚阈值model准确度

liuqk1 · 发表于 2008-1-30 17:17:46

不太懂

rachel607 · 发表于 2008-1-30 18:29:15

亚阈区很难做准的。或许可以考虑牺牲精度。

w98211012 · 发表于 2008-1-30 20:07:10

你用的是什么工艺？个人感觉，你的片子tapeout出来，能工作吗？我也做了个掉电检测电路，整体功耗４个uA，

semico_ljj · 发表于 2008-1-30 22:28:24

原帖由 USTM 于 2007-9-25 12:40 发表

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我设计中把这个bandgap电流源都设置在subthreshold region状态,Vref为1.195V,但是由于Vref=IR+Vbe,I太小的话，Ｒ很大,我现在做的Ｒ都达到１.９Ｍ了.而且同时我也将PNP的E极area设计得比较小,只有2u*2u,个人很担心会影 ...

R＝1.9M不算太大，还见过3～4M的！

zhh124 · 发表于 2008-1-31 10:04:05

那你就去把ONSEMI的打开来看看他们怎么做的!

请教一个低电流基准设计问题,非常感谢!

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