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查看: 4552|回复: 3

[求助] 高性能的ESD保护结构

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发表于 2018-7-20 16:36:35 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位专家:      1)是否厚栅氧器件过流能力比较好?(因为没有LDD,另外电流远离表面)
      2)厚栅氧的击穿电压是否等于薄氧器件的漏体击穿电压,二者的触发电压是否一样
      3)如图1,采用衬底驱动的话,厚栅氧器件的触发电压是否可降低为齐纳管的击穿电压
      4)哪位有衬底驱动厚栅氧器件的设计或测试资料,比如有/无衬底驱动时的触发电压,过流大小等
      5)如果想要得到高触发电压的结构,如图2那样,采用四级串联,其触发电压是否约等于齐纳二极管击穿电压的4倍?
图2.jpg 图1.jpg
发表于 2018-7-21 19:35:26 | 显示全部楼层


谈一下个人的想法:可能不成熟~~
      1)是否厚栅氧器件过流能力比较好?(因为没有LDD,另外电流远离表面)
           你是不是想说场氧器件的ESD能力较好?
           是这样的

           如果是厚栅氧器件,这个得看工艺。厚栅氧器件的ESD能力,不仅取决于栅氧,还取决于漏端PN结(漏端工程)。LDD结构,是影响ESD能力一个很重要指标,Salicide工艺也影响,高-K材料等也要影响器件的ESD能力。
           对于大节点工艺,影响MOS器件的主要为LDD工艺和漏端工程

      2)厚栅氧的击穿电压是否等于薄氧器件的漏体击穿电压,二者的触发电压是否一样
          栅氧击穿电压与栅氧的材料、工艺、厚度紧密相关。

      3)如图1,采用衬底驱动的话,厚栅氧器件的触发电压是否可降低为齐纳管的击穿电压
          基本上是的,当流过电阻的压降大于VBE,可让寄生的PNP开启

      4)哪位有衬底驱动厚栅氧器件的设计或测试资料,比如有/无衬底驱动时的触发电压,过流大小等
         IEEE搜吧

      5)如果想要得到高触发电压的结构,如图2那样,采用四级串联,其触发电压是否约等于齐纳二极管击穿电压的4倍?
        如果寄生器件的BV电压远高于4*Vz,是这样的。就是要关注NW/SUB的击穿电压
 楼主| 发表于 2018-7-22 08:45:22 | 显示全部楼层
回复 2# andyjackcao


   感谢回复!
   1)对于四级串联结构,是否会因为衬底电流分流,使得四个TFO器件的导通情况不一致?
  2)没有下载IEEE论文的权限,所以大家是否能上传论文或资料?
发表于 2018-7-22 10:39:48 | 显示全部楼层
[i=s] 本帖最后由 andyjackcao 于 2018-7-22 10:41 编辑 [/i]

[quote]回复  andyjackcao


   感谢回复!
   1)对于四级串联结构,是否会因为衬底电流分流,使得四个TFO器 ...
xihuwang 发表于 2018/7/22 08:45 [/quote]
   1)对于四级串联结构,是否会因为衬底电流分流,使得四个TFO器件的导通情况不一致?      
       在PW/HNW击穿前,齐纳二极管击穿的电流,不仅从电阻流走。随着开启级数的增加,齐纳二极管击穿电流,不仅需要提供IR压降让VBE开启,还要提供衬底电流分流,以维持已经开启的器件。      那么,这是有理论支持因为衬底分流,导致四个器件的开启条件不一样,如果齐纳二极管可提供的电流足够大,这种差异就会小很多
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