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[求助] 求大神指点:VGS耐压不够,怎么设计驱动电路和电平转换电路

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发表于 2018-7-19 11:31:55 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在做驱动电路,需要用到一个0~5V转换为0~25V的电平转换电路,由于MOS管VGS耐压只有12V左右,传统结构PMOS耐压承受不住。如果加钳位的话,静态电流又太大,既要耐压,又要功耗小。又不允许换工艺,由于VGS耐压的问题,导致驱动电路不知道怎么着手了,求教大神们有什么好的办法吗?
 楼主| 发表于 2018-7-19 11:32:44 | 显示全部楼层
自己顶一下
发表于 2018-7-20 20:46:19 | 显示全部楼层
发表于 2018-7-21 00:41:14 | 显示全部楼层
加钳位的话,静态电流又太大
发表于 2018-7-21 06:37:51 | 显示全部楼层
也想知道求一
发表于 2018-9-11 10:34:00 | 显示全部楼层
共同关注!
发表于 2018-9-11 14:14:28 | 显示全部楼层
我猜高压P管只有非对称管,没有对称管
发表于 2018-9-11 15:13:12 | 显示全部楼层
想办法多串几级吧,每个管子都来分担点电压,使得每个VGS小一点
发表于 2020-7-18 09:38:44 | 显示全部楼层
我也有这个问题 楼主解决了吗
发表于 2020-7-18 10:00:50 | 显示全部楼层
1. 串 MOS
2. 换工艺
3. 换工作

做不到的事就是做不到 .  为何工艺分很多类, 要求不同 .  你要低压去挡高压. 串是可以, 但是 前提 DEVICE 均分耐压, 但是 现实上, 一定有差异 .  假设你用 3颗MOS 去分, 其中一个万一偏弱. 全部耐压都会跌在那上面 . 初期流片可能没事 , HTOL 看会不会过, 会过就OK

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