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[求助] 工艺库的IO接口timing和仿真不匹配

hellangel

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tT
发表于 2018-7-11 10:22 | 只看该作者

[求助] 工艺库的IO接口timing和仿真不匹配

我是做模拟设计的，需要验证40nm的工艺IO接口是否满足200M的速度要求，可是看了syn文件，里面IO接口的timing信息，就是加一个负载电容，看上升下降沿的时间，然后我用模拟前仿来验证，可是和工艺厂提供的syn文件里面的timing不一样，不知道有没有谁接触过这类情况，希望得到指点
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技术篇连载：泰克CEO为您解读低噪声背后的科学(附有奖下载）

jamesccp

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发表于 2018-7-11 17:03 | 只看该作者
楼主是学生？
感觉如果在公司的话，这类问题随便问一个人都可以啊。
CMOS匠人

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hellangel

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发表于 2018-7-12 10:08 | 只看该作者
回复 2# jamesccp


   在公司里的，问不到啊，做后端综合的人说综合没问题，不管模拟仿真的结果，做模拟的以前也没看过timing文件，也是没关心过，领导又要让我看看到底行不行，现在只能找工艺厂的人来沟通，不过还没找到，所以想着来这里问问看

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andyfan

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发表于 2018-7-12 18:18 | 只看该作者
肯定要看后仿真结果啊，你得到的结果比人家快就对了。

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kanchiam

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发表于 2018-7-12 18:35 | 只看该作者
check foundry timing PVT...output loading and %(如20~80%)

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