线性稳压器负载电容在100nF~1uF下如何处理环路稳定性的问题

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LDO采用最典型的结构，一级用NMOS输入、PMOS负载的误差放大器结构，二级采用PMOSFET做源跟随，功率管用PMOSFET，补偿方式采用米勒补偿及固定电阻的零点补偿。对于片外电容要求有一定的范围，在仿真时发现5uF以上比较容易补偿，直接做主极点即可，米勒补偿基本上用一个小电容就能稳定；而在nF级别以下，仅从稳定性方面考虑，用一个稍大的米勒电容（10pF以上），基本可以解决；但是如果需求在100nF~1uF这个级别的话，作为主极点位置偏高，会导致满载（100~200mA）时的GBW过大（10MHZ左右），GBW范围内出现多个高频极点；而作为次极点，则需要引入大的米勒补偿电容（甚至高达100pF以上），而且满载时GBW在10KHz左右，空载时更低。希望各位大神可以给点建议，如何处理100nF~1uF这个级别的负载电容条件下的主次极点设置或者其他更好的补偿方法，谢谢