标准单元库换工艺问题

moyunming

请问，因为换工艺，所以我对每一个cell都压了面积，然后在利用NCX仿真提取的时候，电压变低了，面积压缩了，结果出来的时序变得更差了，请问造成这个情况的原因可能是什么呢？按道理来说，电压如果变低，负载不变的话，时序应该变好才对的，但我这个结果为什么会这样呢？

legend03u8z

回复 1# moyunming


   你先用ncx把原来的lib做一遍看看结果是不是源一样再换PVT条件

moyunming

回复 2# legend03u8z


   您好，我按照原来的条件，试了一遍，结果是对的，不过我同时用的是seed library和从seed library提取的.opt文件，提取出来的lib,和原先是一样的，我感觉流程应该是对的，然后我换用了另外一个seed library，对这个seed library里面的cell,我压了面积，PVT里面，我只是把电压从原来的1.98，变成了1.5，其他的都没变，感觉出来的cell，时序应该变好才对的，毕竟我电压减小了，时序是变快的，可PR出来的结果，时序变的好差，这个是为什么呢？

seu_huzw

回复 1# moyunming


   电压变低，时序变慢，功耗变低。时序不可能变快。

moyunming

回复 4# seu_huzw 为什么时序不会变好呢？因为电压变低了，原先电压比较高，需要1.9才可以翻转的，现在1.6就可以翻转了，时序不应该变快的吗？

seu_huzw

回复 5# moyunming


   电压变低，器件的电流就变小，单元的驱动能力就减弱，给负载电容充放电的时间就变长，即rise/fall_transition变大，cell_rise/fall变大。跟信号到达什么电压值发生翻转关系不大。

教父

你的时序变好是指setup 变好还是hold变好 或者都变好？ 理论上将低电压，器件延迟会加大，导致setup 变差， hold会变好。

moyunming

回复 6# seu_huzw
但是电压低，MOS管很快就可以达到饱和，开始给电容充电的呢，这张图不就是说明电压低的话，mos管会更加快的达到饱和的吗？

moyunming

回复 7# 教父


   我现在搞不明白，为啥电压变小，器件延迟会变大呢？电压变小的话，mos管不是会很快的达到饱和的吗？

seu_huzw

回复 8# moyunming


   你需要好好理解一下直流分析与瞬态分析，另外也建议你好好推导下一个反相器的延时的公式。