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PPT|NOR Flash: Scaling 的挑战、可靠性及表征(下载奖励信元和资料)

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发表于 2018-4-2 13:32:42 | 显示全部楼层 |阅读模式

NorFlash的这些问题该怎么解决?


过去一年,Nor Flash的价格飞涨和前景看好,让大家对编码式存储器重燃了信心,包括兆易创新和旺宏在内的众多厂商在去年也从中挣到盘满钵满。在很多人看来,这种略显古老的产片没啥技术含量,但从Nor Flash的发展看来,他们同样面临各种各样的挑战。


日前,北京大学微纳电子学研究学院蔡一茂在一篇名为《NOR Flash:Scaling 的挑战、可靠性及表征》的演讲中,谈到了Nor Flash的各种挑战,现将其摘录如下,与广大读者分享。

1.jpg.png


闪存的演变


根据Nor Flash的原理,它是使用CHE来编码,然后使用FN Tunning 来擦除,而电荷注入机制对这两个因素的印象很大,我们来分别看一下其考量和解决办法:


首先看CEH。据了解,CHE的注入对编码速度和lg有明显的提升,同时能够扩大对离子化率的影响(高横向电场),还能影响收集效率(高垂直电场)。但对CHE来说,如下图所示,影响他们的因素也有很多。

为此,可以使用TCAD仿真来模拟CHE注入的影响,提高产品性能。


TCAD仿真


介乎Flaoting GateBulk之间的FN Tunning同样也会受到各种因素的影响。


FN Tuneling


这时候使用MLC方案则能完美解决相关问题。


SLCMLC的对比


对于Nor Flash来说,我们还需要考虑一下可靠性的问题。例如Over-Erase ,比如Nor Disturb,还有隧道氧化和可靠等问题。这就需要一些很好的解决方法。另外,在微缩的过程中,Nor Flash还会面临Random Telegraph Signals Noise (RTN)等问题。


由上所述,Nor Flash从设计到生产,再到交付到客户手中,要考量其可靠性、合格性、保持性,同时还要经过保持特性失效分析。经过以上重重考验的NorFlash才能满用户对使用温度(55度),断电数据保持时间>10年,擦写次数>10万次等多方面的需求。


为了帮助读者更好的了解Nor Flash的相关技术挑战和解决方案,我们提供了张教授的完整PPT下载,欢迎回复官“NOR Flash ”去获取下载文件。



以上只是摘要,需要完整文档,请参与活动下载:


digikey.jpg




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发表于 2018-4-2 13:55:39 | 显示全部楼层
已经下载成功
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发表于 2018-4-2 14:00:47 | 显示全部楼层
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发表于 2018-4-2 14:01:43 | 显示全部楼层
哪里可以下载关于 “NOR FLASH”的?
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发表于 2018-4-2 15:31:26 | 显示全部楼层
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发表于 2018-4-2 18:00:19 | 显示全部楼层
下是下了,但为什么资料还是三月份的?
Selection_011.png
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 楼主| 发表于 2018-4-2 18:56:23 | 显示全部楼层
回复 4# liandre


   请重新填写一次可下载
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 楼主| 发表于 2018-4-2 18:56:37 | 显示全部楼层
回复 6# 、窝里康


   已修改该,谢谢指正
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发表于 2018-4-2 20:08:13 | 显示全部楼层
回复 8# jackzhang


   不客气,资料已下
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发表于 2018-4-2 20:46:18 | 显示全部楼层
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