HBM ESD要过1.33A电流

layoutxyz · 发表于 2018-3-30 10:13:52

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由于HBM ESD要过1.33A电流 , 假如metal 每微米过 1mA电流 . 那ESD POWER/GROUND线的金属线宽度不是要 1330um (1.33A/1mA=1330um), 太不可思议了 ?

mikoyan · 发表于 2018-3-30 11:14:32

If your foundary provide enough EM information.
There are max. DC current, max. peak current, max. AC current, max. root-mean-square current.

Don't use DC spec for ESD event. First, understand What ESD current is.

layoutxyz · 发表于 2018-4-2 11:05:56

你的意思是说 ESD 电流不影响金属线宽度 ? 能否详细说一说?

mikoyan · 发表于 2018-4-2 16:43:45

HBM ESD只是一个时间只有200~1000ns左右的瞬时电流现象.
不是一个长时间DC电流现象. 你所谓metal 每微米过 1mA电流, 这是指DC时的EM spec, 也就是超过10年以上的以1mA/um的DC电流在同一条metal line上同方向流动, 才会造成断路或阻值的偏移一定之大小.

所以ESD的metal宽度要用current peak或current pulse的EM spec来算. 没有的话, 用AC spec算也会比DC小个20~40倍.

其实, 一般遵守foundry给的ESD layout guide就很足够了.
比方, 有的会建议PAD进去的metal至少要有15um. (或更小)
或规定PAD至最近的ESD clamping要小于1 ohm之类的.
考虑ESD clamping的宽度大小, power/ground宽度也很少小于20um的.

powerboy711 · 发表于 2018-4-5 17:37:50

楼上说的真详细

layoutxyz · 发表于 2018-4-8 09:14:23

确实是详细, 那ESD clamping到VDD pad和VSS pad 要小于多少ohm ?

inicetime · 发表于 2019-4-1 11:52:05

请教：PAD到最近的RC clamp电阻最大为1ohm，1ohm这个数据的依据是什么呢？另外看Foundry给的规则中，FlipChip封装，bump cell到RCclamp结构的最大电阻为0.1ohm，没搞清楚这两个数值是怎么计算出来的。请指教

azkandf · 发表于 2019-9-16 10:06:56

thank for share

xd_HR · 发表于 2020-12-30 18:30:10

tfjim · 发表于 2021-3-10 10:29:03

谢谢分享

[原创] HBM ESD要过1.33A电流

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