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PPT:解决先进工艺MOSFET的测量问题的最好办法(下载奖励信元和资料)

PPT:解决先进工艺MOSFET的测量问题的最好办法(下载奖励信元和资料)

本期已结束,获奖名单公布如下:

hzcg
onlymortal
Kilhall
li-fei-0105
zf3177
yxren1
pandar
mythbuster
阿发君
cloner99
黑白
王子元77
wangdingeva
XJbibibi
nibabadedie
huang8089
chuxiaobo
18351923586
zihong.zhang
soviet000
chaumont
liandre
gantao
无声告白
zousy11
banber
开皮卡的南南
sunseashx
胶地的游戏
Kassi


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在大家对摩尔定律的质疑声中,工艺制程已经推进到了7nm,未来的5nm3nm也都在固化之中。但我们应该见到,无论对于晶圆厂、EDA工具提供商或者测试厂来说,挑战日益严峻,尤其对于测试方面。


首先是电子阱测试的问题。


电子阱存在于MOSFET的沟道之中,随着工艺的演进,器件MOSFET的沟道变得越来越短,这就会影响器件稳定性以及器件间的失配。为了能测量出器件中电子阱的数量,传统方法是在直流情况下测试器件的随机电报噪声,但在先进工艺(如16nm),这样的测量就显得有些力不从心。


另一方面,MOSFET的迁移率(迁移率是MOSFET性能的重要指标)的测量也成为从业者关注的另一个重要问题。


传统的慢速方法无法捕捉到电荷阱和栅极漏电流等瞬态效应的影响,而且在测试过程中需要改变MOSFET的漏端电压并有一次更换线缆的动作,进而造成误差。


为此,供应商们与时俱进的推出了新的测试方案,帮助其客户解决问题。


例如面向电子阱的问题,泰克采用了栅极加交流电的情况下去测随机电报噪声的方法,从而提高电子阱的测试准确率和测试灵敏范围。


至于迁移率测量,泰克则采用Ultra-Fast Single PulseUFSP的方法仅需一次快速打一个很短的脉冲(几微秒)即可测出迁移率,避免了传统方法的几个问题。


如果你想了解更多关于这些方案的介绍,尤其是关于电子阱测量的方案,请下载:


共三份资料,包括:PPT及两篇论文

部分截图:

0.jpg
2018-3-2 15:29


下载方法:


点击 立即下载  (需要注册)


奖励:
1. 注册下载后回帖说明已下载,可奖励300信元
2. 本期(2018-3)会抽取30名注册的客户可免费获得“半导体器件的表征及可靠性研究交流会”汇编
(包含众多大咖演讲课题内容及深入阅读文章)

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