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查看: 2973|回复: 5

[求助] 片上系统级ESD设计

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发表于 2018-1-21 17:23:12 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 xihuwang 于 2018-1-21 17:37 编辑

请有过片上系统级ESD保护设计的大神帮忙看看:      一款接口过压、短路保护芯片,要求系统级ESD保护(IEC61000-4-2 contact 8kV):
      1、高速端口保护,拟用导向二极管,将ESD电流导向到电源轨。如何降低导向二极管电容?
      2、钳位器件用齐纳二极管辅助触发的NMOS,是否可行?(担心NMOS过流不如SCR,但SCR
           维持电压低,有latch-up问题)
      3、高压钳位用上述齐纳辅助结构的多级串联,是否可行

       请大家帮忙提提意见。如果有相关的paper或资料,也烦请指导。

谢谢!
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发表于 2018-1-21 20:21:51 | 显示全部楼层




    理论上,采用以上电路结构是可行的,只要NMOS面积足够大;大约可以过40A的电流(TLP测试的电流)以上
 楼主| 发表于 2018-1-21 22:42:00 | 显示全部楼层
回复 2# andyjackcao


   感谢回复。   一般认为GGNMOS的过流能力为3mA/um量级吗?如果是这样,为大于30A,W应大于1000um。
   问题是:
   1、栅极电压一般偏置在多少,1V~2V?如果这样,采用齐纳辅助的结构,实际工作在折返状态,还是
       导通状态?
   2、因为栅极有偏执,是否不会出现非均匀状态?

   烦请再给出指导意见。

谢谢!
 楼主| 发表于 2018-1-22 20:16:35 | 显示全部楼层
大家有做过系统级ESD工程的吗,请大神指点啊。
发表于 2018-1-24 21:10:45 | 显示全部楼层


回复  andyjackcao


   感谢回复。   一般认为GGNMOS的过流能力为3mA/um量级吗?如果是这样,为大于30 ...
xihuwang 发表于 2018/1/21 22:42




    GGNMOS放电3mA/um,1000um放电为3000mA,即3A。
    MOS都这么大了,很难均匀得。
发表于 2018-2-4 20:58:22 | 显示全部楼层
Power MOS主要是沟道表面导通泄放ESD电流,是统一导通的。
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