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[求助] 请问在gm/id设计方法中,怎么得到gm/id与λ的关系曲线呢

[求助] 请问在gm/id设计方法中,怎么得到gm/id与λ的关系曲线呢

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这个问题我倾向于使用中间量Vov考虑。
gm/Id 在weak inversion的时候保持不变,之后随着Vov的增加,gm/Id降低。临界点在0.18工艺下大约为-100mV。
lamda的话可以由和rds成反比。当Vov增加,到strong inversion的时候。channel length modulation 和DIBL 开始变得显著。这时候rds会小幅度增加,lamda小幅度减小。
具体参考课本如下:
trade offs and optimization in analog CMOS design
第162页。

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本帖最后由 ericking0 于 2017-12-7 13:57 编辑

两个自由度,L,Id/(W/L),搭一个很简单的bentch,parameter sweep就可以了
但是说实话,我觉得gm/id的方法并不是把gm/id作为一个初始设计变量,而是作为一个设计目标的中间参考量;
而且感觉你的需求有点怪怪的,一般会将本征增益作为一个目标量,而很少用lamda作为一个目标量的;

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回复 3# ericking0
在根据增益需求确定管子参数时,经常会出现gm1*(ro1//ro2)的情况,也就是gm1/(λ1+λ2),所以我感觉gm/id与λ的关系曲线更有用些。可能是因为我还没完全理解gm/id方法吧,这种情况应该怎么用gm*ro的曲线呢

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