如何减小ESD保护器件寄生电容，提高IO带宽？

harry1862pd · 发表于 2017-10-23 09:01:02

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各位大神，小弟目前在从事一个项目中， IO的速度受到限制， S21 -3dB带宽只有700MHz，目前想通过减小ESD器件上的寄生电容的办法提高带宽， ESD采用的是SCR bipolar 和 GCNMOS 两种ESD 器件，寄生电容的影响是去掉ESD器件，前仿带宽可以提高400MHZ，请教有无其他特殊的ESD电路结构或者器件来减小ESD上的寄生电容，另外，有无其他办法提高IO的速度带宽？不胜感激，再次拜谢！！！

lwjee · 发表于 2017-10-23 11:56:00

ESD是比较专门的一个方向。可以加tcoil提高带宽。

harry1862pd · 发表于 2017-10-23 12:53:44

回复 2# lwjee

嗯，是的， ESD 很难改变了，只能寻求其他办法，可是tccoil我不太懂，大侠能否帮忙稍微再详细的解释一下？

lwjee · 发表于 2017-10-23 15:01:46

回复 3# harry1862pd

A TCoil-Enhanced 8.5Gbps High-Swing source-Series-Terminated Transmitter in 65nm Bulk CMOS

harry1862pd · 发表于 2017-10-23 15:41:08

回复 4# lwjee

really thanks , 大神

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