担忧苹果高通挤压7纳米产能，海思考察第二供应商分散风险

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市场研究机构ICInsights表示，随着IC设计厂崛起，大陆晶圆代工需求同步升温，预估今年中国晶圆代工市场规模将逼近70亿美元，将增加16%，增幅将是整体晶圆代工市场的1倍以上，占整体晶圆代工比重将达13%。高度称赞的晶圆代工市场，也意味着更激烈的竞争与混战。目前，台积电在全球的市场占有率排名第一，领先其他对手。根据IC Insights的调查报告，台积电去年合并营收接近300亿美元（294.88亿美元），市场占有率高达59％；排名第二的是GlobalFoundries（格芯），去年合并营收为55.45亿美元，市场占有率仅11％。紧随其后的是台湾联电，去年营收45.82亿美元，市场占有率为9%。

与此同时，在晶圆代工厂激励竞争的背后，布局先进工艺节点的IC设计厂商也在寻求更为可靠的晶圆代工供应商。近日集微网消息显示，海思半导体在台积电16纳米、10纳米两个制程世代一战成名后，全力挺进7纳米制程，业界透露因高通7纳米订单重回台积电怀抱，海思在产能等战略考量下，7纳米制程可能会寻求第二供应商，目前传出包括三星电子、格芯、英特尔等纷全力争取海思订单。

2016年除了苹果是台积电16纳米制程最重要客户外，包括联发科、海思及展讯均积极在台积电导入16纳米制程量产，大幅拉抬两岸IC设计厂商在台积电先进制程投片比重，2016年台积电16纳米制程产能除了供应苹果产品需求，其他产能几乎被两岸IC设计厂商全包。包括联发科新款P20、海思Kirin 950及展讯SC9860等芯片，均采用台积电16纳米制程量产。海思这几年快速茁壮，与台积电有着密不可分的关系，尤其台积电在16纳米制程上，高通首次放弃台积电，旗舰芯片合作对象转向三星，已由三星以14纳米生产骁龙820、以10纳米代工今年主打的骁龙835等，当时台积电16纳米制程第一个客户就是海思，跌破业界眼镜，也让海思成为一匹大黑马窜出，整个半导体产业开始正视海思的IC设计实力。此外，海思在10纳米制程芯片也是由台积电独家代工。

进入到7纳米节点，台积电将于明年量产，明年的晶圆代工竞争将成为重头大戏，半导体厂不仅拚技术良率，亦全力绑桩客户订单，尤其高通在14纳米、10纳米转投三星，台积电7纳米制程最大目标就是把高通订单抢回来，目前看来已成定局，高通正努力研发新一代骁龙855移动平台，将由台积电以7纳米制程代工生产，预计2019年上市。此外iPhone下世代的A12订单，台积电以7nm结合InFO全拿订单也胜券在握，台积电在7纳米制程可说是旗开得胜。

可以预见明年台积电成长动能最强的制程是7纳米，目前导入台积电7nm制程的芯片厂相当多，除了高通，其他还包括苹果、辉达、AMD、海思、联发科、赛灵思等等。台积电强调，目前7nm制程已有十二个产品设计定案，预计2018年量产，让台积电明年成长动能比今年更强。不过几家欢喜几家愁。海思过去在16纳米、10纳米世代上，是台积电除了苹果之外的最重要客户，因为这两个世代没有高通的竞争，但进入7纳米之后状况就不一样了，高通订单回归台积电后，台积电的大客户顺序，海思可能会被排在苹果、高通之后，基于确保产能的战略考量，海思评估找第二家供应商。

三星、格芯、英特尔竞抢海思7纳米订单

海思在7纳米制程第二供应商的选择上，目前传出三星、格芯、英特尔纷全力争取，但各自有一些问题，其中，三星有意以OLED面板、DRAM和NAND Flash存储器等零组件资源作为诱因，希望海思能到三星投片7纳米制程，但海思和三星在智能手机市场是竞争对手，到三星投片并不是海思乐见的，但零组件搭售策略确实为一个诱因。

在7纳米制程，三星的计划是明年导入EUV技术后，在2018年下半年先行量产7纳米制程，6纳米与5纳米制程随后也将于2019年上阵，如此将可提供三星客户更多选择。但在这方面，三星2016年晶圆代工市占7.9%，全球排第四，遥遥落后台积电的50.6%。在7纳米之前，三星今日公布的 8nm LPP 制程是该公司在 7nm 工艺之前最先进也最有竞争力的工艺，并且也会很快投入市场。至于具体商用时间，三星表示会在随后于全球各地举行的三星半导体论坛上与7nm EUV光刻工艺进展一同公布。三星表示，相比于10nm制程，全新8nm制程的芯片不仅面积能缩减10%，功耗也能降低10%。该工艺正式投产后，将会定位于高端旗舰市场。

格芯过去14纳米是向三星授权，在10纳米世代则是弃权，进入7纳米世代后重新加入高端制程战局，手上的王牌即是IBM。过去海思曾在IBM投片晶圆代工，IBM退出半导体生产制造后，把资产卖给格芯，承袭IBM经验成为格芯争取海思订单的利器，唯一的障碍是要证实其技术实力。格芯6月曾表示，7纳米已在纽约Fab8晶圆厂内做好为客户设计提供服务的准备，预计2018年下半年量产，且为了加快7LP的量产进度，格芯也计划投入EUV技术，在量产初期则仍采用传统的光刻方式，未来逐步使用EUV技术。同时，使用7纳米制程的特殊应用芯片(asic)平台，将主打数据中心、机器学习、汽车与5G等应用市场，预计2019年量产。

英特尔则积极以10纳米制程争取海思订单，目前英特尔10纳米制程的逻辑晶体管密度达到每平方毫米1亿个，相较于台积电4,800万个、三星5,160万个晶体管，将近是两倍；况且英特尔10纳米制程在鳍片间距和栅极间距上，低于台积电与三星，因此，业界认为英特尔10纳米技术相当于台积电和三星的7纳米制程。

海思是华为旗下IC设计公司，根据2016年大陆IC设计公司排名，海思以人民币260亿元稳居大陆规模最大的IC设计公司，其次是清华紫光展锐，规模约人民币125亿元。