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[求助] 版图ESD求助

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发表于 2017-4-24 10:05:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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一输入输出端口I,最大电压为16V,挂载的ESD开启电压设计为18V,同时该端口通过一个二极管连接的NMOS器件连入内部(接法为:该端口接G/S,使用的PN结为D和B。另外,S端做了ESD的规则处理,D端未做ESD的规则处理),该NMOS的D/S击穿电压为19V。理论上来说ESD器件可以对该NMOS进行比较好的保护,但是在ESD的实际测试时发现,在1kV的时候,该NMOS器件已经被损坏。请问是什么原因导致出现这种现象?如果要提高该NMOS器件的ESD承受能力,要对该器件进行如何处理(将G悬浮会不会好一些)?
发表于 2017-4-24 11:08:55 | 显示全部楼层
如果是怀疑G端被打坏,不建议floating,可以考虑通过电阻再接到S。
此外,建议您到ESD/Latch-up 版块去问问,那边有更多的ESD先关资源。
 楼主| 发表于 2017-4-24 11:28:56 | 显示全部楼层
回复 2# Snowy2016
谢谢!
发表于 2017-6-6 15:25:56 | 显示全部楼层
发表于 2017-6-9 11:44:32 | 显示全部楼层
为什么D端不做ESD处理?
发表于 2017-6-9 13:52:30 | 显示全部楼层
S端ESD处理??一般是对D做ESD处理吧
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