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[求助] nmos管,考虑体效应,从源级看进去电阻变小

[求助] nmos管,考虑体效应,从源级看进去电阻变小

如题,求直观解释。

直观解释? 并联总电阻小于任一支路电阻

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nmos管的二极管连接,从s端看考虑体效应电阻反而变小了,是为什么,求直观解释,不需公式推导

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我的理解,你说的电阻变小指的是在同样的vgs下,drain和source之间的小信号阻抗变小?
体效应相当于一个没有夹断的jfet,它的vgs=Vsource_bulk;没有体效应时,该jfet的vgs=0;
小信号阻抗,有体效应的时候jfet的vgs是变化的,该jfet相当于与mos并联;

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回复 4# ouyang00032


    你理解的对,我就是这个意识,mos管的二极管连接,考虑体效应,反而漏源之间电阻变小,体效应导致阈值电压变大,小信号电路有一个gmb的受控源分流,所以由原来的电阻1/gm变为1/gm+gmb导致电阻变小,这个由s和b端电压不等引起的电流,是怎么产生的,阈值电压很明显变大,但是这个电流的产生我不是很理解。pn节还是反向偏置,怎么会产生电流,还有这个jfet不是太了解。大神,谢谢指导。

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我的理解是:source电压增加一个 dV,Vgs就减小dV,如果再考虑体效应,Vth会再增大dVth,这样Ids的电流变化量就比没有体效应时更大,相应的source端视入阻抗变小。

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